Автоматизированная шлюзовая установка плазмостимулированного осаждения Caroline PECVD15

Установка полностью автоматизированного управления с поштучной обработкой пластин диаметром до 200 мм. снабжена генератором плазмы высокой плотности (патент РФ № 2 171 555) со своим ВЧ-генератором возбуждения плазмы (частотой 13,56 МГц) и специальным столом с подачей от независимого генератора ВЧ-смещения для вытягивания и ускорения ионов из плазмы.
Конструкция генератора плазмы и стола травления позволяют получать на обрабатываемых подложках потоки ионов 5÷10 мА/см.² и более с регулируемой генератором смещения подложки энергией от 20 до 300 э.В. и более. Для улучшения теплоотвода от подложки предусмотрен так называемый «гелиевый теплоотвод», который подразумевает подачу гелия между подложкой и поверхностью стола, что позволяет поддерживать небольшой перепад температур между поверхностью...

Установка «Caroline D12С» – полностью автоматизированная вакуумно-технологическая установка предназначена для магнетронного напыления на керамические, кремниевые и любые плоские (толщина не более 30 мм.) подложки до 150 мм (максимальная плоскость обрабатываемых деталей 150×650 мм).
Установка комплектуется магнетронами от одного до четырех штук для распыления любых материалов (Cu, Cr, Ni, Al и т.п.)

Установка «Caroline D12В» - полностью автоматическая установка магнетронного напыления, предназначена для магнетронного напыления на керамические, кремниевые и любые плоские (толщина не более 30 мм.) подложки размером до Ø150 мм (максимальная плоскость обрабатываемых деталей 150×350 мм)

Установка «Caroline D12B1» - полностью автоматическая установка магнетронного напыления, предназначена для магнетронного напыления на металлические изделия, такие как лопатки турбин, инструменты и другие изделия. Установка имеет 20 позиций вращения с максимальным диаметром 80 мм. и длиной до 400 мм.
Установка имеет возможность установки до 4-x пар магнетронов для распыления любых материалов из мишеней размером 440х100х6÷15 мм.
Особенностью установки является механизм вращения носителей, который позволяет вращать изделие вокруг своей оси и производить напыление с четырех сторон.

Установка «Caroline IE12» – полностью автоматизированная вакуумно-технологическая установка предназначена для травления тонких слоев резистивных сплавов, металлов и диэлектриков на керамических, кремниевых и любых плоских (толщина не более 30 мм.) подложках размером до Ø 150 мм. (максимальная плоскость обрабатываемых деталей 150х320 мм.).
Установка имеет два вертикально установленных протяженных ионных источника с размером ионного луча по вертикали 350 мм. и может быть использована для травления через фоторезистивную или металлическую маску.

Вакуумно-технологические автоматизированные установки Caroline D12B2  предназначена для двустороннего магнетронного напыления на керамические, кремниевые и любые плоские (толщина не более 30 мм.) подложки размером до Ø150 мм. (максимальная плоскость обрабатываемых деталей 150×350 мм.)
Установка комплектуется магнетронами для распыления любых материалов, например, резистивные сплавы Cu, Cr, Ni, Al и т.п.

Вакуумно-технологическая установка «Caroline PE12» предназначена для плазмохимического, ионно-химического и ионного травления тонких плёнок в вакууме на любых плоских (толщина не более 30 мм.) подложках размером до Ø 250 мм.Эта установки полностью автоматизированного управления с поштучной обработкой пластин Ø до 250 мм. снабжена генератором плазмы высокой плотности (патент РФ № 2 171 555) со своим ВЧ-генератором возбуждения плазмы (частотой 13,56 МГц) и специальным столом с подачей от независимого генератора ВЧ-смещения для вытягивания и ускорения ионов из плазмы.
Для улучшения теплоотвода от подложки предусмотрен так называемый «гелиевый теплоотвод», который подразумевает подачу гелия между подложкой и поверхностью стола, что позволяет поддерживать небольшой перепад...

Установка «Caroline D12A1» предназначена для магнетронного напыления на керамические, кремниевые и другие подложки размером до Ø100 мм:установка имеет возможность установки либо 4-х магнетронов (например РС, хром, медь, никель), либо 3-х магнетронов и источника термического испарения и т.д.